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Nolay10硅中氧碳含量測(cè)定儀

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Nolay10硅中氧碳含量測(cè)定儀單晶硅材料可以用于制造太陽(yáng)能電池、半導(dǎo)體器件等，由于其應(yīng)用領(lǐng)域的特殊性要求其純度達(dá)到99.9999% 甚至更高。在單晶硅生產(chǎn)過(guò)程中由原料及方法等因素難以避免的引入了碳、氧等雜質(zhì)，直接影響了單晶硅的性能。因而需對(duì)單晶硅材料中的氧碳含量進(jìn)行控制。

詳細(xì)介紹

Nolay10硅中氧碳含量測(cè)定儀

單晶硅材料可以用于制造太陽(yáng)能電池、半導(dǎo)體器件等，由于其應(yīng)用領(lǐng)域的特殊性要求其純度達(dá)到99.9999% 甚至更高。在單晶硅生產(chǎn)過(guò)程中由原料及方法等因素難以避免的引入了碳、氧等雜質(zhì)，直接影響了單晶硅的性能。因而需對(duì)單晶硅材料中的氧碳含量進(jìn)行控制。

依據(jù)G B/T 1558-2009和G B/T 1557-2006，紅外光譜法可以在對(duì)單晶硅中代位碳和間隙氧進(jìn)行定性的同時(shí)進(jìn)行定量測(cè)定,具有快速、方便、準(zhǔn)確的優(yōu)點(diǎn)。

原理

利用硅中代位碳原子和間隙氧原子分別在波數(shù)607.2cm -1和1107cm -1 有特征吸收，根據(jù)吸收峰的吸收系數(shù)來(lái)確定代位碳原子濃度和間隙氧原子的濃度。

Nolay10硅中氧碳含量測(cè)定儀規(guī)格參數(shù)

光譜范圍：7800～350 cm-1

分辨率：優(yōu)于1.0 cm-1

信噪比：優(yōu)于15000:1（P-P值，4cm-1，一分鐘掃描）

分束器：KBr基片鍍鍺（進(jìn)口）

光源:高能量、高效率、長(zhǎng)壽命陶瓷光源（進(jìn)口）

干涉儀：30度入射角Michelson干涉儀

接收器：帶有防潮膜的高靈敏度DLATGS接收器（進(jìn)口）

數(shù)據(jù)傳輸接口：USB2.0（兼容3.0）