熱電參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)產(chǎn)品特點(diǎn)
熱電參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)測(cè)試實(shí)例
1、康銅樣品三次測(cè)試數(shù)據(jù)與美國(guó)AIP標(biāo)準(zhǔn)數(shù)值對(duì)比

2、Namicro-3L、ZEM-3對(duì)N型Bi2Te3測(cè)試結(jié)果對(duì)比

3、Namicro-3L、ZEM-3對(duì)P型Bi2Te3測(cè)試結(jié)果對(duì)比

4、Namicro-3L、ZEM-3對(duì)MgSi測(cè)試結(jié)果對(duì)比(太原理工提供樣品)

熱電參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)技術(shù)參數(shù)
型號(hào) | Namicro-3LT |
溫度范圍 | RT~800°C |
溫控方式 | PID程序控制 |
升溫速率 | 50°C/min |
真空度 | ≤50Pa |
測(cè)試氣氛 | 真空 |
測(cè)量范圍 | 澤貝克系數(shù):S ≥ 8µV/K; 電阻率:0.1µΩ•m ~ 106KµΩ•m |
分辨率 | 澤貝克系數(shù):0.05µV/K; 電阻率:0.05µΩ•m |
相對(duì)誤差 | 澤貝克系數(shù) ≤±7%,電阻率 ≤±5% |
測(cè)量模式 | 自動(dòng) |
樣品尺寸 | 塊體,長(zhǎng)x寬:(2~5) x (2~5),單位mm;高度:10 ~ 18mm |
主機(jī)尺寸 | 1000 x 400 x 500,單位mm |
重量 | 75kg |
熱電參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)樣品要求
塊體:具備平整上下端即可
若樣品表面有腐蝕或氧化等雜質(zhì)層覆蓋,需對(duì)樣品表面拋光,使材料裸露出來(lái),保證接觸良好
熱電參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)技術(shù)原理
動(dòng)態(tài)測(cè)量法
測(cè)試過(guò)程中給試樣兩段施加一微小的連續(xù)變化的溫差,測(cè)量樣品兩端熱電勢(shì)變化,溫差?T和熱電勢(shì)之間呈線性關(guān)系,其斜率即為seebeck系數(shù)。
四探針?lè)?/span>
即四點(diǎn)接觸法,電流的路徑如右圖所示,但測(cè)量電壓使用的是另外兩個(gè)接觸點(diǎn)。相比二探針?lè)?,四探針?lè)y(cè)量電阻率有個(gè)非常大的優(yōu)點(diǎn)——不需要校準(zhǔn);有時(shí)用其它方法測(cè)量電阻率時(shí)還用四探針?lè)ㄐ?zhǔn),因而測(cè)量精度更高。