G-CVD 石墨烯化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)
石墨烯（Graphene）自2004年發(fā)現(xiàn)以來，在短短數(shù)年間已經(jīng)成為凝聚態(tài)物理、化學(xué)、材料科學(xué)等領(lǐng)域研究中倍受矚目的“明星材料”。
化學(xué)氣相沉積（CVD）是目前制備石墨烯的較有效、也是較具研究價(jià)值的方法。搭建一套完整而高效的石墨烯化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)并非易事，即使在系統(tǒng)搭建完成后，要真正制備出單層石墨烯，還需要較長時(shí)間的參數(shù)優(yōu)化。這往往使得科研人員錯(cuò)過了較佳的研究時(shí)機(jī)。
G－CVD石墨烯化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)由廈門烯成新材料科技有限公司與國內(nèi)石墨烯研究機(jī)構(gòu)合作開發(fā)，提供完整的石墨烯生長系統(tǒng)，同時(shí)提供石墨烯轉(zhuǎn)移及測試的解決方案。 G-CVD系統(tǒng)兼容真空及常壓兩種主流的生長模式，采用計(jì)算機(jī)自動(dòng)控制，系統(tǒng)內(nèi)置了多種制備石墨烯的生長參數(shù)，用戶只需簡單操作，就可以輕松的制備出高質(zhì)量的石墨烯。采用該系統(tǒng)，可以制備出毫米尺寸的石墨烯大單晶，也可以制備出數(shù)十厘米尺寸的石墨烯連續(xù)薄膜，還能生長13C同位素石墨烯。將為科研人員提供大量的研究機(jī)會(huì)，以及為實(shí)現(xiàn)各種科學(xué)想法創(chuàng)造了條件。
G－CVD 還可用于生長制備碳納米管，二硫化鉬等低維納米材料。
主要特點(diǎn)：
◆ 兼容真空及常壓 兩種主流的生長模式
G-CVD 系統(tǒng)是一套完備的石墨烯制備系統(tǒng)，包括硬件和軟件部分。工作在常壓氣氛或真空條件，通過控制，可以在 10-3 Torr ~ 760 Torr 之間的任意氣壓下進(jìn)行石墨烯的生長。既可以生長出六邊形的石墨烯單晶，也可以生長出花瓣?duì)畹氖┑膯尉А?/span>
◆ 計(jì)算機(jī)自動(dòng)控制，內(nèi)置多種生長參數(shù)
整個(gè)石墨烯生長過程的重要參數(shù)由計(jì)算機(jī)進(jìn)行精確控制，包括溫度、氣體流量等?？刂栖浖?nèi)置多種生長優(yōu)化參數(shù)，用戶僅需將襯底放入樣品腔，即可開始生長。
◆ 制備高質(zhì)量石墨烯單晶，單晶尺寸可達(dá)數(shù)毫米
采用特殊優(yōu)化的生長條件，可以得到尺寸達(dá)數(shù)毫米的單疇單晶。在多晶薄膜方面，可以制備得到數(shù)十厘米尺寸的單層石墨烯薄膜。
◆ 生長 C 13C 同位素石墨烯，研究石墨烯生長動(dòng)力學(xué)過程
G-CVD 系統(tǒng)有 13C 同位素選項(xiàng)，交替生長不同同位素石墨烯， 用于研究石墨烯生長的動(dòng)力學(xué)過程。
系統(tǒng)參數(shù) ：
樣品腔
溫度范圍：室溫-1200 度
功率：2.5 -4.8kW
末端口：不銹鋼法蘭接口，外置水冷卻
進(jìn)樣方式：手動(dòng)
生長氣體
Ar：純度 99.999%以上，40L，配惰性氣體減壓閥，流量 0-1000 sccm；
H2：純度 99.999%，40L，配氫氣減壓閥，流量 0-200sccm（其它量程可選）
CH4：純度 99.999%，40L，配減壓閥，流量 0-10sccm(其它量程可選)；
13CH4：純度 99% (1%為 12CH4)，10L，配專用減壓閥，流量 0~10 sccm (同位素選件)；
機(jī)械泵
抽速 400L/min,極限真空 1×10-3 Torr
液氮冷阱：用于獲得更高真空（可選配件）
過壓泄氣保護(hù)：大于 760Torr,自動(dòng)開啟
真空調(diào)節(jié)裝置：調(diào)節(jié)樣品腔內(nèi)的氣壓，手動(dòng)（自動(dòng)控制式可選）
控制模塊
溫度、氣流及真空采用計(jì)算機(jī)控制，其中部分功能也可以采用手動(dòng)控制。計(jì)算機(jī)實(shí)時(shí)控制和顯示所有與生長有關(guān)的實(shí)驗(yàn)參數(shù)， 自動(dòng)保存實(shí)驗(yàn)參數(shù)， 給實(shí)驗(yàn)帶來極大的方便，并提高實(shí)驗(yàn)的精確性。
