儀器簡介：

GDS850輝光放電光譜儀

輝光放電光譜法采用低壓，冷激發(fā)光源，材料被氬離子流均勻地從樣品表面剝離濺射。 被濺射出的材料原子在遠(yuǎn)離樣品表面低氬的等離子體內(nèi)被激發(fā)。 GDS850的配備提高了實(shí)驗(yàn)室的質(zhì)量控制和研發(fā)能力，它提供了非常準(zhǔn)確的基體分析以及成分深度剖析涂層分析和表面處理的結(jié)果。 儀器檢測光譜范圍從120到800納米，最多配置58個通道。

特征

• 濺射與激發(fā)分離

• 寬動態(tài)范圍的線性校準(zhǔn)曲線

• 更小自吸收和材料再沉積

• 原子線激發(fā)

• 少和窄的發(fā)射線減少干擾

• 無冶金記憶效應(yīng)

• 較少的校準(zhǔn)標(biāo)樣

• 低氬氣消耗

• 兩次分析間的自動清掃

均勻的濺射

其他方法可能只是激發(fā)樣品表面，所采集的數(shù)據(jù)并不一定具有代表性。而輝光放電，樣品材料均勻地從表面激發(fā)濺射， 冷光源的激發(fā)為一些困難樣品的檢測提供了很好的技術(shù)。

以下為對一個硬盤表面100nm深度每種元素3次分析的結(jié)果，可以看到每種元素隨深度的分布。 

可選件

• 射頻光源

• 統(tǒng)計軟件包

• 光源套件

• 樣品夾持器

• SMARTLINE遠(yuǎn)程診斷軟件求

• 耗材

相關(guān)信息

• gds850參考卡(203-104-039)

• gds850樣本

• 文章：輝光放電-涂層分析的現(xiàn)代方式

• 應(yīng)用報告：QDP物理氣相沉積法（102）

• 應(yīng)用報告：GDS鎳及鎳基合金（052）

• 應(yīng)用報告：GDS深度剖面分析（033）

• 應(yīng)用報告：鍍鋅鋼（001）

• 應(yīng)用報告：拋光不銹鋼上的薄氧化層（002）

• 應(yīng)用報告：鋁合金基板上的商用硬盤（003）

• 應(yīng)用報告：玻璃基板上的40GB硬盤在（- 004）

• 應(yīng)用報告：氧化鋁樣品中的鉻（- 005）

• 應(yīng)用報告：NIST 2135c（- 006）

• 性能報告：GDS分析基體樣品的分析前準(zhǔn)備（031）

• 性能報告：GDS ASTM E415真空法（030）

• 性能報告：GDS校準(zhǔn)（- 041）

• 性能報告：GDS輝光放電光源（035）

• 性能報告：GDS ASTM E1009（- 044）

• 性能報告：鋁膜QDP分析（028）

• 性能報告：鍍鋁鋼的涂層分析（040）

• 性能報告：滲碳鋼的QDP分析（036）

• 性能報告：粘彈性鋼夾層QDP分析（034）

• 性能報告：磷酸鐵涂層QDP分析（043）

• 性能說明：鍍鋅鋼QDP分析（027）

• 性能說明： QDP分析電鍍樣品（024）

• 性能說明：GDS850硬盤深度剖面-048