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等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)（PECVD）

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  化學(xué)氣相沉積

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等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)（PECVD），符合CE認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)的三溫區(qū)CVD系統(tǒng)，生長(zhǎng)樣品腔的管徑60-120mm，它是由高溫管式爐、多路高精度流量控制與供氣系統(tǒng)、機(jī)械泵、真空密封及測(cè)量系統(tǒng)、尾氣處理系統(tǒng)組成，極限真空度可達(dá)10^-5torr

詳細(xì)介紹

等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)（PECVD），符合CE認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)的三溫區(qū)CVD系統(tǒng)，生長(zhǎng)樣品腔的管徑60-120mm，它是由高溫管式爐、多路高精度流量控制與供氣系統(tǒng)、機(jī)械泵、真空密封及測(cè)量系統(tǒng)、尾氣處理系統(tǒng)組成，極限真空度可達(dá) 10^-5 torr 。

主要特點(diǎn)：

1，優(yōu)勢(shì)在于各種薄膜材料、低維納米材料等的制備（尤其適用于過渡金屬二維半導(dǎo)體材料的生長(zhǎng)與原位摻雜，以及多元二維材料的生長(zhǎng)）

2，可選配遠(yuǎn)程等離子射頻發(fā)生系統(tǒng)，可用于各種薄膜材料、低維納米材料等的等離子體輔助生長(zhǎng)、刻蝕加工與材料表面修飾（尤其適用于石墨烯、氮化硼等二維材料的無催化生長(zhǎng)，缺陷調(diào)控，以及器件制作工藝中的殘膠去除）

3，生長(zhǎng)工藝設(shè)計(jì)，能滿足任意襯底無催化生長(zhǎng)

4，應(yīng)用案例（點(diǎn)擊跳轉(zhuǎn)）

設(shè)備主要技術(shù)參數(shù)

溫控參數(shù)		單位
溫度	1200	℃
功率	6.5	kw
溫控精度	±1	℃
真空系統(tǒng)
真空泵	1 x 10^-3 (7.5 x 10^-4)	mbar (Torr)
真空泵(開氣鎮(zhèn))	1.5 x 10^-2 (1.1 x 10^-2)	mbar (Torr)
真空泵(使用PEPE 油)	1 x 10^-2(7.5 x 10^-3)	mbar (Torr)
腔體內(nèi)真空度	優(yōu)于2.0_*10^-2	Torr
流量控制參數(shù)
泄露率	＜4×10^-9	atm-cc/secHe
分辨率	全量程的0.1%
響應(yīng)時(shí)間氣特性	<2	s
響應(yīng)時(shí)間電特性	500	ms
尾氣吸收參數(shù)
材質(zhì)	殼體鋁合金、不銹鋼
吸氣腔	聚四氟乙烯
等離子體系統(tǒng)參數(shù)
功率輸出	5 – 300，5 – 500	W
信號(hào)頻率	13.56 ±0.005%	MHz
反射功率	200	W
功率穩(wěn)定度	±0.1%
諧波分量	≤-50	dbc
供電電壓	187V – 253V —- 頻率50/60HZ